РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ
Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн
Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули
A2U12M12W2-F2
Карточка товара
↗
Производитель: STMicroelectronics
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
ACEPACK 2 POWER MODULE, 3-LEVEL
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
Yes
Конфигурация:
Three Level Inverter
Производитель 2:
STMicroelectronics
Тип корпуса (Package/Case):
Module
Рабочая температура:
175°C (TJ)
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
7 nF @ 800 V
Тип корпуса от поставщика:
ACEPACK 2
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 41 шт.
184.28 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 14 шт.
183.210 EUR
от 1 шт.
APT35GP120J
Карточка товара
↗
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 1 шт.
43.8 EUR
от 1 шт.
APT40GP90JDQ2
Карточка товара
↗
Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 20 шт.
48.7 EUR
от 1 шт.
APT75GP120JDQ3
Карточка товара
↗
Производитель: Microchip Technology
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
ISOTOP
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
543 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
128 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
7.04 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
ISOTOP®
Ток отсечки коллектора (Макс.):
1.25 mA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,288 шт.
40.56 EUR
от 1 шт.
TME
Доступно: 17 шт.
61.8 EUR
от 1 шт.
CM600HB-24A
Карточка товара
↗
Производитель: POWEREX
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 4 шт.
195.0 EUR
от 1 шт.
FF200R12KE3HOSA1
Карточка товара
↗
Производитель: INFINEON
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 10 шт.
122.470 EUR
от 1 шт.
TME
Доступно: 9 шт.
151.38 EUR
от 1 шт.
FF200R12KT4HOSA1
Карточка товара
↗
Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 20 шт.
121.8 EUR
от 1 шт.
GSA75AA120
Карточка товара
↗
Производитель: SanRex
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 33 шт.
32.83 EUR
от 1 шт.
IXA70I1200NA
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis, Stud Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
350 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100 A
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100 µA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 50A
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 34 шт.
38.12 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 1 шт.
346.20 HKD
от 1 шт.
IXBN42N170A
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1700V 42A 312W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
312 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
42 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
3.5 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
50 µA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic:
6V @ 15V, 21A
Склады и остатки
TME
Доступно: 4 шт.
43.38 EUR
от 1 шт.
IXDN75N120
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
NPT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
660 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
150 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
5.5 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
4 mA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,392 шт.
42.80 EUR
от 1 шт.
IXGN100N170
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
NPT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
735 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
160 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
9.22 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
50 µA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 187 шт.
73.24 EUR
от 1 шт.
IXGN320N60A3
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
735 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
320 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
18 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
150 µA
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 243 шт.
47.430 EUR
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 139 шт.
45.66 EUR
от 1 шт.
IXGN400N60A3
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 600V 400A 830W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
830 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
400 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
32 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
250 µA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 193 шт.
74.36 EUR
от 1 шт.
IXGN400N60B3
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
1000 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
430 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
31 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100 µA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 440 шт.
66.51 EUR
от 1 шт.
IXGN72N60C3H1
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
360 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
78 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
4.78 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
250 µA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 474 шт.
31.31 EUR
от 1 шт.
IXXN110N65B4H1
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Максимальная мощность:
750 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
215 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
3.65 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
50 µA
Склады и остатки
Newark
Доступно: 202 шт.
36.570 USD
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 146 шт.
29.90 EUR
от 1 шт.
IXXN110N65C4H1
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Максимальная мощность:
750 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
210 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
3.69 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
50 µA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 783 шт.
27.48 EUR
от 1 шт.
Newark
Доступно: 100 шт.
35.130 USD
от 1 шт.
IXYN100N120C3
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1200V 152A 830W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Максимальная мощность:
830 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
152 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
6 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
25 µA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic:
3.5V @ 15V, 100A
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 279 шт.
37.76 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 10 шт.
330.90 HKD
от 1 шт.
IXYN100N120C3H1
Карточка товара
↗
Производитель: IXYS
📁
Дискретные полупроводники
›
Транзисторы
›
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
›
IGBT-модули
(Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules)
IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
690 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
134 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
6 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.):
50 µA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic:
3.5V @ 15V, 100A
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 178 шт.
40.00 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 64 шт.
444.70 HKD
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 60 шт.
410.18 HKD
от 10 шт.
Страница 1 из 20
1
…