IXXN110N65B4H1

Производитель: IXYS

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules

IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B

Технические характеристики

Вход Standard

Тип монтажа Chassis Mount

NTC термистор No

Конфигурация Single

Тип IGBT транзистора PT

Тип корпуса (Package/Case) SOT-227-4, miniBLOC

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Максимальная мощность 750 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 215 A

Входная ёмкость (Cies) при Vce 3.65 nF @ 25 V

Тип корпуса от поставщика SOT-227B

Ток отсечки коллектора (Макс.) 50 µA

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V

Складские остатки и цены

Newark 202 шт.

Mouser 146 шт.