FF200R12KE3HOSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули
Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules
IGBT MODULE 1200V 1050W
Технические характеристики
Вход
Standard
Тип монтажа
Chassis Mount
NTC термистор
Yes
Конфигурация
2 Independent
Тип корпуса (Package/Case)
Module
Рабочая температура
-40°C ~ 125°C
Максимальная мощность
1050 W
Входная ёмкость (Cies) при Vce
14 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика
Module
Ток отсечки коллектора (Макс.)
5 mA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
1200 V
Складские остатки и цены
Farnell
10 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 122.470 EUR |
| от 5 шт. | 119.900 EUR |
| от 10 шт. | 117.320 EUR |
TME
9 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 151.38 EUR |