IXGN100N170
Производитель: IXYS
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули
Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules
IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
Технические характеристики
Вход
Standard
Тип монтажа
Chassis Mount
NTC термистор
No
Конфигурация
Single
Тип IGBT транзистора
NPT
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-227-4, miniBLOC
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
735 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
160 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce
9.22 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-227B
Ток отсечки коллектора (Макс.)
50 µA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic
3V @ 15V, 100A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
1700 V
Складские остатки и цены
Mouser
187 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 73.24 EUR |
| от 10 шт. | 63.54 EUR |