IXA70I1200NA

Производитель: IXYS

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules

IGBT MOD 1200V 100A 350W SOT227B

Технические характеристики

Вход Standard

Тип монтажа Chassis, Stud Mount

NTC термистор No

Конфигурация Single

Тип IGBT транзистора PT

Тип корпуса (Package/Case) SOT-227-4, miniBLOC

Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)

Максимальная мощность 350 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100 A

Тип корпуса от поставщика SOT-227B

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100 µA

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V

Складские остатки и цены

Mouser 34 шт.

Кол-во	Цена за шт.
от 1 шт.	38.12 EUR
от 10 шт.	32.43 EUR

RS HK 1 шт.