FF200R12KT4HOSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули
Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules
IGBT MOD 1200V 320A 1100W
Технические характеристики
Вход
Standard
Тип монтажа
Chassis Mount
NTC термистор
No
Конфигурация
Half Bridge
Тип IGBT транзистора
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case)
Module
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
1100 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
320 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce
14 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика
Module
Ток отсечки коллектора (Макс.)
5 mA
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic
2.15V @ 15V, 200A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
1200 V
Складские остатки и цены
TME
20 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 121.8 EUR |
| от 5 шт. | 118.32 EUR |