IXDN75N120

Производитель: IXYS

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules

IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B

Технические характеристики

Вход Standard

Тип монтажа Chassis Mount

NTC термистор No

Конфигурация Single

Тип IGBT транзистора NPT

Тип корпуса (Package/Case) SOT-227-4, miniBLOC

Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)

Максимальная мощность 660 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 150 A

Входная ёмкость (Cies) при Vce 5.5 nF @ 25 V

Тип корпуса от поставщика SOT-227B

Ток отсечки коллектора (Макс.) 4 mA

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V

Складские остатки и цены

Mouser 1,392 шт.