APT35GP120J

Производитель: Microchip Technology

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › IGBT Modules

IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP

Технические характеристики

Вход Standard

Тип монтажа Chassis Mount

NTC термистор No

Конфигурация Single

Тип IGBT транзистора PT

Тип корпуса (Package/Case) ISOTOP

Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)

Максимальная мощность 284 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 64 A

Входная ёмкость (Cies) при Vce 3.24 nF @ 25 V

Тип корпуса от поставщика ISOTOP®

Ток отсечки коллектора (Макс.) 250 µA

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 3.9V @ 15V, 35A

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V

Складские остатки и цены

TME 1 шт.