ELZON.RU
12.3 млн SKU онлайн
Логотип Загрузка BOM BETA

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ

Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн

Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
A2U12M12W2-F2
Производитель: STMicroelectronics
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули

ACEPACK 2 POWER MODULE, 3-LEVEL

Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
Yes
Конфигурация:
Three Level Inverter
Производитель 2:
STMicroelectronics
Тип корпуса (Package/Case):
Module
Рабочая температура:
175°C (TJ)
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
7 nF @ 800 V
Тип корпуса от поставщика:
ACEPACK™ 2
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 41 шт.
184.28 EUR
от 1 шт.
AFGB40T65SQDN
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

650V/40A FS4 IGBT TO263 A

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Surface Mount
Заряд затвора:
76 nC
Тип корпуса (Package/Case):
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Энергия переключения:
858µJ (on), 229µJ (off)
Максимальная мощность:
238 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
80 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
17.6ns/75.2ns
Тип корпуса от поставщика:
D²PAK-3 (TO-263-3)
Импульсный ток коллектора (Icm):
160 A
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 3,124 шт.
51.30 HKD
от 2 шт.
RS HK
Доступно: 2,400 шт.
24.335 HKD
от 800 шт.
Mouser
Доступно: 863 шт.
5.65 EUR
от 1 шт.
AFGHL40T65SPD
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

FS3 T TO247 40A 650V AUTO

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
36 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 40A, 6Ohm, 15V
Энергия переключения:
1.16mJ (on), 270µJ (off)
Максимальная мощность:
267 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
80 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
18ns/35ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,140 шт.
6.12 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 360 шт.
57.30 HKD
от 2 шт.
AFGHL40T65SQ
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
68 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 20A, 6Ohm, 15V
Энергия переключения:
250µJ (on), 90µJ (off)
Максимальная мощность:
239 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
80 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
15ns/70ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 450 шт.
5.98 EUR
от 1 шт.
AFGHL50T65SQD
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
102 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Энергия переключения:
950µJ (on), 460µJ (off)
Максимальная мощность:
268 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
80 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
20ns/81ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 694 шт.
5.60 EUR
от 1 шт.
AFGHL50T65SQDC
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT 650V A

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
94 nC
Тип IGBT транзистора:
Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Энергия переключения:
131µJ (on), 96µJ (off)
Максимальная мощность:
238 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
17.6ns/94.4ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 834 шт.
10.63 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 24 шт.
96.50 HKD
от 2 шт.
AFGHL75T65SQ
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
139 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Энергия переключения:
1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
Максимальная мощность:
375 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
80 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
25ns/106ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 324 шт.
4.90 EUR
от 1 шт.
AFGHL75T65SQDC
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT WITH SIC COPACK DIODE IGBT

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
139 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Энергия переключения:
1.68mJ (on), 1.11mJ (off)
Максимальная мощность:
375 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
80 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
24ns/107.2ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 417 шт.
10.35 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 280 шт.
94.00 HKD
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 270 шт.
56.147 HKD
от 30 шт.
AFGY100T65SPD
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
109 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 100A, 5Ohm, 15V
Энергия переключения:
5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Максимальная мощность:
660 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
120 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
36ns/78ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,771 шт.
10.72 EUR
от 1 шт.
AFGY120T65SPD
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
125 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 120A, 5Ohm, 15V
Энергия переключения:
6.6mJ (on), 3.8mJ (off)
Максимальная мощность:
714 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
160 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
40ns/80ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-247-3
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,027 шт.
12.15 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 374 шт.
110.30 HKD
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 360 шт.
71.993 HKD
от 30 шт.
APT75GP120JDQ3
Производитель: Microchip Technology
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › IGBT-модули

IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP

Характеристики
Вход:
Standard
Тип монтажа:
Chassis Mount
NTC термистор:
No
Конфигурация:
Single
Тип IGBT транзистора:
PT
Тип корпуса (Package/Case):
ISOTOP
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
543 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
128 A
Входная ёмкость (Cies) при Vce:
7.04 nF @ 25 V
Тип корпуса от поставщика:
ISOTOP®
Ток отсечки коллектора (Макс.):
1.25 mA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,288 шт.
40.56 EUR
от 1 шт.
AUIRG4PC40S-E
Производитель: Infineon Technologies
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT 600V 60A 160W TO247

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
150 nC
Тип корпуса (Package/Case):
TO-247-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Условия тестирования:
480V, 31A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения:
450µJ (on), 6.5mJ (off)
Максимальная мощность:
160 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
60 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
22ns/650ns
Тип корпуса от поставщика:
PG-TO247-3
Импульсный ток коллектора (Icm):
120 A
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 205 шт.
11.77 EUR
от 1 шт.
BIDW20N60T
Производитель: Bourns
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 4,800 шт.
4.33 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 1,800 шт.
22.942 HKD
от 600 шт.
BIDW40N65H5
Производитель: Bourns
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,967 шт.
4.97 EUR
от 1 шт.
BIDW50N65T
Производитель: Bourns
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 1,900 шт.
2.7027 USD
от 600 шт.
RS HK
Доступно: 1,098 шт.
52.25 HKD
от 2 шт.
Mouser
Доступно: 5 шт.
5.81 EUR
от 1 шт.
BIDW75N65EH5
Производитель: Bourns
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 5,797 шт.
7.01 EUR
от 1 шт.
BIDW75N65ES5
Производитель: Bourns
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,773 шт.
6.48 EUR
от 1 шт.
FGA25S125P-SN00337
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT TRENCH/FS 1250V 50A TO3PN

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
204 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
600V, 25A, 10Ohm, 15V
Энергия переключения:
1.09mJ (on), 580µJ (off)
Максимальная мощность:
250 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
50 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
24ns/502ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-3PN
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 92 шт.
6.42 EUR
от 1 шт.
FGA3060ADF
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
37.4 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования:
400V, 30A, 6Ohm, 15V
Энергия переключения:
960µJ (on), 165µJ (off)
Максимальная мощность:
176 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
60 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C:
12ns/42.4ns
Тип корпуса от поставщика:
TO-3PN
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 124 шт.
3.13 EUR
от 1 шт.
FGA30S120P
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN

Характеристики
Тип входа:
Standard
Тип монтажа:
Through Hole
Заряд затвора:
78 nC
Тип IGBT транзистора:
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case):
TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Максимальная мощность:
348 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
60 A
Тип корпуса от поставщика:
TO-3PN
Импульсный ток коллектора (Icm):
150 A
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 30A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
1300 V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 111 шт.
7.25 EUR
от 1 шт.
Страница 1 из 20 1 …