FGA3060ADF

Производитель: onsemi

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › Single IGBTs

IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO3PN

Технические характеристики

Тип входа Standard

Тип монтажа Through Hole

Заряд затвора 37.4 nC

Тип IGBT транзистора Trench Field Stop

Тип корпуса (Package/Case) TO-3P-3, SC-65-3

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Условия тестирования 400V, 30A, 6Ohm, 15V

Энергия переключения 960µJ (on), 165µJ (off)

Максимальная мощность 176 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 60 A

Задержка (вкл/выкл) при 25°C 12ns/42.4ns

Тип корпуса от поставщика TO-3PN

Импульсный ток коллектора (Icm) 90 A

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A

Время обратного восстановления (trr) 26 ns

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V

Складские остатки и цены

Mouser 124 шт.