AFGY100T65SPD

Производитель: onsemi

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT

Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › Single IGBTs

IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

Технические характеристики

Тип входа Standard

Тип монтажа Through Hole

Заряд затвора 109 nC

Тип IGBT транзистора Trench Field Stop

Тип корпуса (Package/Case) TO-247-3

Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)

Условия тестирования 400V, 100A, 5Ohm, 15V

Энергия переключения 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)

Максимальная мощность 660 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 120 A

Задержка (вкл/выкл) при 25°C 36ns/78ns

Тип корпуса от поставщика TO-247-3

Импульсный ток коллектора (Icm) 300 A

Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic 2.05V @ 15V, 100A

Время обратного восстановления (trr) 105 ns

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V

Складские остатки и цены

Mouser 1,771 шт.