FGA30S120P
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › Single IGBTs
IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
Технические характеристики
Тип входа
Standard
Тип монтажа
Through Hole
Заряд затвора
78 nC
Тип IGBT транзистора
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case)
TO-3P-3, SC-65-3
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Максимальная мощность
348 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
60 A
Тип корпуса от поставщика
TO-3PN
Импульсный ток коллектора (Icm)
150 A
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic
2.3V @ 15V, 30A
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
1300 V
Складские остатки и цены
Mouser
111 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 7.25 EUR |
| от 10 шт. | 5.10 EUR |
| от 100 шт. | 4.13 EUR |
| от 450 шт. | 3.67 EUR |
| от 900 шт. | 3.24 EUR |