AFGY120T65SPD
Производитель: onsemi
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) › Одиночные IGBT
Discrete Semiconductor Products › Transistors › IGBTs › Single IGBTs
IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
Технические характеристики
Тип входа
Standard
Тип монтажа
Through Hole
Заряд затвора
125 nC
Тип IGBT транзистора
Trench Field Stop
Тип корпуса (Package/Case)
TO-247-3
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Условия тестирования
400V, 120A, 5Ohm, 15V
Энергия переключения
6.6mJ (on), 3.8mJ (off)
Максимальная мощность
714 W
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
160 A
Задержка (вкл/выкл) при 25°C
40ns/80ns
Тип корпуса от поставщика
TO-247-3
Импульсный ток коллектора (Icm)
360 A
Напряжение Vce(on) (Макс.) при Vge, Ic
2.05V @ 15V, 120A
Время обратного восстановления (trr)
107 ns
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
650 V
Складские остатки и цены
Mouser
1,027 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 12.15 EUR |
| от 10 шт. | 7.41 EUR |
| от 120 шт. | 7.10 EUR |
RS HK
374 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 110.30 HKD |
| от 8 шт. | 107.60 HKD |
| от 15 шт. | 105.90 HKD |
RS HK
360 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 30 шт. | 71.993 HKD |
| от 60 шт. | 70.43 HKD |
| от 120 шт. | 68.863 HKD |