Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы — цены, наличие и поставка

2N3501

Производитель: MULTICOMP PRO

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Farnell

Доступно: 927 шт.

1.540 EUR

от 1 шт.

64042

Производитель: ERKO

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

RS HK

Доступно: 6 шт.

746.00 HKD

от 1 шт.

BF888H6327XTSA1

Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

TME

Доступно: 2,057 шт.

0.12 EUR

от 1 шт.

BFP183WH6327XTSA1

Производитель: INFINEON

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Farnell

Доступно: 1,151 шт.

0.268 EUR

от 5 шт.

TME

Доступно: 104 шт.

0.267 EUR

от 1 шт.

BFP196WH6327

Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

TME

Доступно: 5,000 шт.

0.457 EUR

от 1 шт.

BFP420H6327XTSA1

Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

TME

Доступно: 4,607 шт.

0.22 EUR

от 1 шт.

BFP740H6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT343

Характеристики

Тип монтажа:

Surface Mount

Тип транзистора:

NPN

Тип корпуса (Package/Case):

SC-82A, SOT-343

Рабочая температура:

150°C (TJ)

Граничная частота (ft):

42GHz

Коэффициент усиления:

27dB

Максимальная мощность:

160mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.):

30mA

Тип корпуса от поставщика:

PG-SOT343-4-2

Коэффициент шума (дБ тип. на частоте):

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):

4.7V

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:

160 @ 25mA, 3V

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 8,395 шт.

0.447 EUR

от 1 шт.

TME

Доступно: 120 шт.

0.293 EUR

от 3 шт.

BFR181E6327HTSA1

Производитель: Infineon

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

RS HK

Доступно: 2,350 шт.

1.492 HKD

от 25 шт.

TME

Доступно: 769 шт.

0.288 EUR

от 1 шт.

BFR193WH6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

Характеристики

Тип монтажа:

Surface Mount

Тип транзистора:

NPN

Тип корпуса (Package/Case):

SC-70, SOT-323

Рабочая температура:

150°C (TJ)

Граничная частота (ft):

8GHz

Коэффициент усиления:

10.5dB ~ 16dB

Максимальная мощность:

580mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.):

80mA

Тип корпуса от поставщика:

PG-SOT323

Коэффициент шума (дБ тип. на частоте):

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):

12V

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:

70 @ 30mA, 8V

Склады и остатки

RS HK

Доступно: 9,000 шт.

1.053 HKD

от 3000 шт.

RS HK

Доступно: 600 шт.

1.54 HKD

от 100 шт.

TME

Доступно: 597 шт.

0.286 EUR

от 1 шт.

Mouser

Доступно: 277 шт.

0.671 EUR

от 1 шт.

BFR360FH6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3

Характеристики

Тип монтажа:

Surface Mount

Тип транзистора:

NPN

Тип корпуса (Package/Case):

SOT-723

Рабочая температура:

150°C (TJ)

Граничная частота (ft):

14GHz

Коэффициент усиления:

15.5dB

Максимальная мощность:

210mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.):

35mA

Тип корпуса от поставщика:

PG-TSFP-3

Коэффициент шума (дБ тип. на частоте):

1dB @ 1.8GHz

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):

9V

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:

90 @ 15mA, 3V

Склады и остатки

Avnet

Доступно: 12,000 шт.

0.09339 USD

от 6000 шт.

TME

Доступно: 6,536 шт.

0.33 EUR

от 1 шт.

Mouser

Доступно: 633 шт.

0.284 EUR

от 1 шт.

RS HK

Доступно: 50 шт.

1.752 HKD

от 50 шт.

BFS483H6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6

Характеристики

Тип монтажа:

Surface Mount

Тип транзистора:

2 NPN (Dual)

Тип корпуса (Package/Case):

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Рабочая температура:

150°C (TJ)

Граничная частота (ft):

8GHz

Коэффициент усиления:

19dB

Максимальная мощность:

450mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.):

65mA

Тип корпуса от поставщика:

PG-SOT363-PO

Коэффициент шума (дБ тип. на частоте):

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):

12V

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:

70 @ 15mA, 8V

Склады и остатки

Future Electronics

Доступно: 100 шт.

0.735 USD

от 1 шт.

Mouser

Доступно: 58 шт.

0.808 EUR

от 1 шт.

BFU520XRR

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 456 шт.

1.05 EUR

от 1 шт.

BFU530AVL

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 44 шт.

1.20 EUR

от 1 шт.

BFU530R

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 123 шт.

1.20 EUR

от 1 шт.

BFU530VL

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 2,765 шт.

1.20 EUR

от 1 шт.

BFU530WF

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 61 шт.

0.894 EUR

от 1 шт.

BFU530XRR

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 1,543 шт.

1.20 EUR

от 1 шт.

BFU530XRVL

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 2,821 шт.

1.19 EUR

от 1 шт.

BFU690F,115

Производитель: NXP Semiconductors

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

Mouser

Доступно: 671 шт.

1.13 EUR

от 1 шт.

BFU725F/N1,115

Производитель: NXP

Карточка товара ↗

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы (Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors)

Характеристики

Параметрика уточняется

Склады и остатки

TME

Доступно: 2,503 шт.

0.889 EUR

от 1 шт.

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ