BFS483H6327XTSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
Тип корпуса (Package/Case)
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Рабочая температура
150°C (TJ)
Граничная частота (ft)
8GHz
Коэффициент усиления
19dB
Максимальная мощность
450mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
65mA
Тип корпуса от поставщика
PG-SOT363-PO
Коэффициент шума (дБ тип. на частоте)
0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
12V
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
70 @ 15mA, 8V
Складские остатки и цены
Future Electronics
100 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.735 USD |
| от 15 шт. | 0.64 USD |
| от 75 шт. | 0.585 USD |
| от 300 шт. | 0.535 USD |
| от 1500 шт. | 0.48 USD |
Mouser
58 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.808 EUR |
| от 10 шт. | 0.502 EUR |
| от 100 шт. | 0.352 EUR |
| от 500 шт. | 0.296 EUR |
| от 1000 шт. | 0.28 EUR |
| от 3000 шт. | 0.226 EUR |