BFU725F/N1,115
Производитель: NXP USA Inc.
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors
RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-343 Reverse Pinning
Рабочая температура
150°C (TJ)
Граничная частота (ft)
55GHz
Коэффициент усиления
10dB ~ 24dB
Максимальная мощность
136mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
40mA
Тип корпуса от поставщика
4-SO
Коэффициент шума (дБ тип. на частоте)
0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
2.8V
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
160 @ 10mA, 2V
Складские остатки и цены
TME
2,503 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.889 EUR |
| от 10 шт. | 0.575 EUR |
| от 50 шт. | 0.403 EUR |
| от 100 шт. | 0.348 EUR |
| от 500 шт. | 0.255 EUR |
| от 1000 шт. | 0.233 EUR |
| от 3000 шт. | 0.222 EUR |