BF888H6327XTSA1

Производитель: Infineon Technologies

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors

MOSFET N-CH RF 12V 30MA SOT-343

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора NPN

Тип корпуса (Package/Case) SC-82A, SOT-343

Рабочая температура 150°C (TJ)

Граничная частота (ft) 47GHz

Коэффициент усиления 27dB

Максимальная мощность 160mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 30mA

Тип корпуса от поставщика PG-SOT343-4-2

Коэффициент шума (дБ тип. на частоте) 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 4V

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 250 @ 25A, 3V

Складские остатки и цены

TME 2,057 шт.