BFR181E6327HTSA1
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
150°C (TJ)
Граничная частота (ft)
8GHz
Коэффициент усиления
18.5dB
Максимальная мощность
175mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
20mA
Тип корпуса от поставщика
PG-SOT23
Коэффициент шума (дБ тип. на частоте)
0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
12V
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
70 @ 5mA, 8V
Складские остатки и цены
RS HK
2,350 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 25 шт. | 1.492 HKD |
| от 50 шт. | 1.42 HKD |
| от 100 шт. | 1.38 HKD |
TME
769 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.288 EUR |
| от 5 шт. | 0.241 EUR |
| от 10 шт. | 0.213 EUR |
| от 25 шт. | 0.179 EUR |
| от 100 шт. | 0.145 EUR |
| от 250 шт. | 0.134 EUR |
| от 3000 шт. | 0.122 EUR |