BFP196WH6327
Производитель: Infineon Technologies
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors
RF TRANSISTOR, L BAND, NPN
Технические характеристики
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Тип корпуса (Package/Case)
SC-82A, SOT-343
Рабочая температура
150°C (TJ)
Граничная частота (ft)
7.5GHz
Коэффициент усиления
12.5dB ~ 19dB
Максимальная мощность
700mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.)
150mA
Тип корпуса от поставщика
PG-SOT343-4
Коэффициент шума (дБ тип. на частоте)
1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.)
12V
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce
70 @ 50mA, 8V
Складские остатки и цены
TME
5,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.457 EUR |
| от 10 шт. | 0.348 EUR |
| от 100 шт. | 0.216 EUR |
| от 250 шт. | 0.174 EUR |
| от 500 шт. | 0.152 EUR |
| от 1000 шт. | 0.132 EUR |
| от 3000 шт. | 0.106 EUR |
| от 6000 шт. | 0.093 EUR |
| от 9000 шт. | 0.09 EUR |