2N3501

Производитель: Microchip Technology

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Биполярные РЧ-транзисторы

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar RF Transistors

TRANS NPN 150V 0.3A TO39

Технические характеристики

Тип монтажа Through Hole

Тип транзистора NPN

Тип корпуса (Package/Case) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Рабочая температура -65°C ~ 200°C (TJ)

Максимальная мощность 1 W

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 300 mA

Тип корпуса от поставщика TO-39 (TO-205AD)

Ток отсечки коллектора (Макс.) 10µA (ICBO)

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 150 V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V

Складские остатки и цены

Farnell 927 шт.