ELZON.RU
12.3 млн SKU онлайн
Логотип Загрузка BOM BETA

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ

Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн

Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
BCR08PN
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

DIGITAL TR SOT-363 50V 100MA

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
2.2kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Граничная частота (ft):
170MHz
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
60V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 2,825 шт.
0.249 EUR
от 5 шт.
Mouser
Доступно: 2,436 шт.
0.284 EUR
от 1 шт.
BCR108SH6327
Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 122 шт.
0.19 EUR
от 1 шт.
BCR22PN
Производитель: Diotec Semiconductor
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

DIGITAL TR SOT-363 60V 100MA

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
22kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Граничная частота (ft):
170MHz
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
22kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
100nA (ICBO)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
60V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 5,995 шт.
0.198 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 2,465 шт.
0.189 EUR
от 5 шт.
BCR22PN-AQ
Производитель: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 3,253 шт.
0.0852 EUR
от 10 шт.
DCX114YUQ-13R-F
Производитель: Diodes Incorporated
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Класс / Грейд:
Automotive
Производитель 2:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
10kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Граничная частота (ft):
250MHz
Максимальная мощность:
200mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA (ICBO)
Склады и остатки
TME
Доступно: 10,000 шт.
0.0539 EUR
от 10000 шт.
Mouser
Доступно: 9,866 шт.
0.439 EUR
от 1 шт.
EMC5DXV5T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
47kOhms, 4.7kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
SOT-553
Максимальная мощность:
500mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms, 10kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SOT-553
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 3,162 шт.
0.456 EUR
от 1 шт.
TME
Доступно: 40 шт.
0.42 EUR
от 1 шт.
MUN5111DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
10kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
10kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 29,952 шт.
0.230 EUR
от 5 шт.
Mouser
Доступно: 13,861 шт.
0.31 EUR
от 1 шт.
MUN5114DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
10kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 9,238 шт.
0.232 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 9,079 шт.
0.232 EUR
от 5 шт.
MUN5211DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
10kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
10kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
35 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 42,000 шт.
0.02667 USD
от 3000 шт.
Future Electronics
Доступно: 39,000 шт.
0.0264 USD
от 3000 шт.
Mouser
Доступно: 18,367 шт.
0.206 EUR
от 1 шт.
MUN5212DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
22kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
22kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
60 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 46,760 шт.
0.224 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 2,315 шт.
0.226 EUR
от 5 шт.
MUN5213DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
47kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 32,598 шт.
0.224 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 30,383 шт.
0.226 EUR
от 5 шт.
MUN5233DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
4.7kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 1mA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 105,000 шт.
0.03107 USD
от 3000 шт.
RS HK
Доступно: 14,200 шт.
0.795 HKD
от 100 шт.
Mouser
Доступно: 13,266 шт.
0.327 EUR
от 1 шт.
Newark
Доступно: 1,100 шт.
0.280 USD
от 1 шт.
MUN5330DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель 2:
onsemi
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
1kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
1kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 5mA, 10mA
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 51,000 шт.
0.02574 USD
от 3000 шт.
Farnell
Доступно: 3,516 шт.
0.228 EUR
от 5 шт.
Mouser
Доступно: 5 шт.
0.258 EUR
от 1 шт.
MUN5335DW1T1G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель 2:
onsemi
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
2.2kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 13,500 шт.
0.778 HKD
от 100 шт.
RS HK
Доступно: 12,000 шт.
0.394 HKD
от 3000 шт.
Avnet
Доступно: 3,000 шт.
0.03013 USD
от 3000 шт.
TME
Доступно: 1,824 шт.
0.3189 EUR
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 826 шт.
0.318 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 3 шт.
0.263 EUR
от 5 шт.
MUN5335DW1T2G
Производитель: onsemi
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип транзистора:
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1):
2.2kOhms
Тип корпуса (Package/Case):
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность:
250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.):
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2):
47kOhms
Тип корпуса от поставщика:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.):
500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.):
50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic:
250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce:
80 @ 5mA, 10V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 14,415 шт.
0.224 EUR
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 486 шт.
0.190 EUR
от 5 шт.
NHUMB13X
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 2,670 шт.
0.298 EUR
от 5 шт.
NHUMB2X
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 2,390 шт.
0.310 EUR
от 5 шт.
NHUMD10-QX
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 3,000 шт.
0.190 EUR
от 5 шт.
NHUMD10X
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 3,025 шт.
0.310 EUR
от 5 шт.
NHUMD13-QX
Производитель: NEXPERIA
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 3,000 шт.
0.324 EUR
от 5 шт.
Страница 1 из 20 1 …