NHUMD10X

Производитель: Nexperia USA Inc.

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Резистор - База (R1) 2.2kOhms

Тип корпуса (Package/Case) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Граничная частота (ft) 170MHz, 150MHz

Максимальная мощность 350mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100mA

Резистор - Эмиттер-База (R2) 47kOhms

Тип корпуса от поставщика 6-TSSOP

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 80V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V

Складские остатки и цены

Farnell 3,025 шт.