Запрос
Вернуться в каталог и поиск

NHUMD13-QX

Производитель: Nexperia USA Inc.

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Класс / Грейд Automotive
Производитель 2 Nexperia USA Inc.
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Резистор - База (R1) 4.7kOhms
Тип корпуса (Package/Case) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Граничная частота (ft) 170MHz, 150MHz
Максимальная мощность 235mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 47kOhms
Тип корпуса от поставщика 6-TSSOP
Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA
Квалификация / Стандарт качества AEC-Q101
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 80V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 100mV @ 500µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
Складские остатки и цены
Farnell 3,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.324 EUR
от 10 шт. 0.231 EUR
от 100 шт. 0.138 EUR
от 500 шт. 0.093 EUR
от 1000 шт. 0.0767 EUR
от 5000 шт. 0.0604 EUR