BCR108SH6327

Производитель: Infineon Technologies

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)

Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Технические характеристики

Тип монтажа Surface Mount

Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Резистор - База (R1) 2.2kOhms

Тип корпуса (Package/Case) 6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Граничная частота (ft) 170MHz

Максимальная мощность 250mW

Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100mA

Резистор - Эмиттер-База (R2) 47kOhms

Тип корпуса от поставщика PG-SOT363-6-1

Ток отсечки коллектора (Макс.) 100nA (ICBO)

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50V

Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA

Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V

Складские остатки и цены

TME 122 шт.