12.3 млн SKU онлайн
Вернуться в каталог и поиск

MUN5212DW1T1G

Производитель: onsemi

✓ Проверенная номенклатура
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Биполярные транзисторы (BJT) › Сборки цифровых транзисторов (с резисторами)
Discrete Semiconductor Products › Transistors › Bipolar (BJT) › Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

Технические характеристики
Тип монтажа Surface Mount
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Резистор - База (R1) 22kOhms
Тип корпуса (Package/Case) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальная мощность 250mW
Ток коллектора (Ic) (Макс.) 100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2) 22kOhms
Тип корпуса от поставщика SC-88/SC70-6/SOT-363
Ток отсечки коллектора (Макс.) 500nA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
Напряжение насыщения Vce(sat) (Макс.) при токах Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Коэффициент усиления по пост. току (hFE) (Мин.) при Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 46,760 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.224 EUR
от 10 шт. 0.135 EUR
от 100 шт. 0.084 EUR
от 500 шт. 0.062 EUR
от 1000 шт. 0.055 EUR
от 3000 шт. 0.042 EUR
Farnell 2,315 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 5 шт. 0.226 EUR
от 50 шт. 0.123 EUR
от 100 шт. 0.0851 EUR
от 500 шт. 0.0625 EUR
от 1500 шт. 0.0556 EUR
от 3000 шт. 0.0421 EUR
от 9000 шт. 0.0413 EUR