РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ
Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн
Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Диоды › РЧ-диоды (СВЧ)
1N3880
Карточка товара
↗
Производитель: GeneSiC Semiconductor
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Характеристики
Скорость:
Fast Recovery = 200mA (Io)
Технология:
Standard
Тип монтажа:
Chassis, Stud Mount
Тип корпуса (Package/Case):
DO-203AA, DO-4, Stud
Обратный ток утечки при Vr:
15 µA @ 50 V
Тип корпуса от поставщика:
DO-4
Средний выпрямленный ток (Io):
6A
Рабочая температура - Кристалл (Tj):
-65°C ~ 150°C
Время обратного восстановления (trr):
200 ns
Прямое падение напряжения (Vf) (Макс.) при If:
1.4 V @ 6 A
Обратное напряжение постоянного тока (Vr) (Макс.):
100 V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 156 шт.
6.13 EUR
от 1 шт.
1N3882
Карточка товара
↗
Производитель: GeneSiC Semiconductor
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
Характеристики
Скорость:
Fast Recovery = 200mA (Io)
Технология:
Standard
Тип монтажа:
Chassis, Stud Mount
Тип корпуса (Package/Case):
DO-203AA, DO-4, Stud
Обратный ток утечки при Vr:
15 µA @ 50 V
Тип корпуса от поставщика:
DO-4
Средний выпрямленный ток (Io):
6A
Рабочая температура - Кристалл (Tj):
-65°C ~ 150°C
Время обратного восстановления (trr):
200 ns
Прямое падение напряжения (Vf) (Макс.) при If:
1.4 V @ 6 A
Обратное напряжение постоянного тока (Vr) (Макс.):
300 V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 206 шт.
6.13 EUR
от 1 шт.
1N3883R
Карточка товара
↗
Производитель: GeneSiC Semiconductor
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
Характеристики
Скорость:
Fast Recovery = 200mA (Io)
Технология:
Standard, Reverse Polarity
Тип монтажа:
Chassis, Stud Mount
Тип корпуса (Package/Case):
DO-203AA, DO-4, Stud
Обратный ток утечки при Vr:
15 µA @ 50 V
Тип корпуса от поставщика:
DO-4
Средний выпрямленный ток (Io):
6A
Рабочая температура - Кристалл (Tj):
-65°C ~ 150°C
Время обратного восстановления (trr):
200 ns
Прямое падение напряжения (Vf) (Макс.) при If:
1.4 V @ 6 A
Обратное напряжение постоянного тока (Vr) (Макс.):
400 V
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 95 шт.
7.31 EUR
от 1 шт.
1N5711
Карточка товара
↗
Производитель: STMicroelectronics
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
Характеристики
Тип диода:
Schottky - Single
Максимальный ток:
15 mA
Тип корпуса (Package/Case):
DO-204AH, DO-35, Axial
Рабочая температура:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
DO-35
Рассеиваемая мощность (Макс.):
430 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
70V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
2pF @ 0V, 1MHz
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 4,000 шт.
0.496 HKD
от 50 шт.
RS HK
Доступно: 1,050 шт.
0.496 HKD
от 50 шт.
1N5711W-7-F
Карточка товара
↗
Производитель: Diodes Incorporated
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
DIODE SCHOTTKY 70V 333MW SOD123
Характеристики
Тип диода:
Schottky - Single
Максимальный ток:
15 mA
Тип корпуса (Package/Case):
SOD-123
Рабочая температура:
-55°C ~ 125°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
SOD-123
Рассеиваемая мощность (Макс.):
333 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
70V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
2pF @ 0V, 1MHz
Склады и остатки
Avnet
Доступно: 544,000 шт.
0.06037 USD
от 3000 шт.
Digikey
Доступно: 13,944 шт.
0.23000 USD
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 7,900 шт.
0.89 HKD
от 750 шт.
Newark
Доступно: 4,312 шт.
0.146 USD
от 1 шт.
Farnell
Доступно: 3,041 шт.
0.428 EUR
от 5 шт.
TME
Доступно: 2,074 шт.
0.217 EUR
от 1 шт.
RS HK
Доступно: 350 шт.
0.926 HKD
от 50 шт.
1PS76SB17,115
Карточка товара
↗
Производитель: NEXPERIA
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 749 шт.
0.652 EUR
от 5 шт.
1SS295(TE85L,F)
Карточка товара
↗
Производитель: Toshiba
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 2,654 шт.
1.08 EUR
от 1 шт.
1SS351-TB-E
Карточка товара
↗
Производитель: ONSEMI
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 9,335 шт.
0.304 EUR
от 5 шт.
element14
Доступно: 40 шт.
2.940 HKD
от 5 шт.
1SV264-TL-E
Карточка товара
↗
Производитель: onsemi
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
RF DIODE PIN 50V 100MW 3MCP
Характеристики
Тип диода:
PIN - 1 Pair Series Connection
Максимальный ток:
50 mA
Тип корпуса (Package/Case):
SC-70, SOT-323
Рабочая температура:
125°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
3-MCP
Рассеиваемая мощность (Макс.):
100 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
50V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
0.4pF @ 50V, 1MHz
Сопротивление при токе и частоте (If, F):
4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 4,506 шт.
0.29000 USD
от 1 шт.
1SV267-TB-E
Карточка товара
↗
Производитель: onsemi
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
Характеристики
Тип диода:
PIN - 1 Pair Series Connection
Максимальный ток:
50 mA
Тип корпуса (Package/Case):
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура:
125°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
3-CP
Рассеиваемая мощность (Макс.):
150 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
50V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
0.23pF @ 50V, 1MHz
Сопротивление при токе и частоте (If, F):
2.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 1,040 шт.
0.568 EUR
от 1 шт.
APD0805-000
Карточка товара
↗
Производитель: Skyworks Solutions, Inc.
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 490 шт.
21.48 EUR
от 1 шт.
BA89202VH6127XTSA1
Карточка товара
↗
Производитель: INFINEON
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Farnell
Доступно: 46,186 шт.
0.138 EUR
от 5 шт.
TME
Доступно: 172 шт.
0.098 EUR
от 5 шт.
BAP50-03-TP
Карточка товара
↗
Производитель: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 2,925 шт.
0.107 EUR
от 25 шт.
BAP55LX,315
Карточка товара
↗
Производитель: NXP Semiconductors
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 24 шт.
1.25 EUR
от 1 шт.
BAP64-04W,115
Карточка товара
↗
Производитель: NXP USA Inc.
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323
Характеристики
Тип диода:
PIN - 1 Pair Series Connection
Максимальный ток:
100 mA
Тип корпуса (Package/Case):
SC-70, SOT-323
Рабочая температура:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
SC-70
Рассеиваемая мощность (Макс.):
240 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
100V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
0.35pF @ 20V, 1MHz
Сопротивление при токе и частоте (If, F):
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 8,131 шт.
0.49000 USD
от 1 шт.
Mouser
Доступно: 35 шт.
0.421 EUR
от 1 шт.
BAP64-05W,135
Карточка товара
↗
Производитель: NXP USA Inc.
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
RF DIODE PIN 100V 240MW SOT323-3
Характеристики
Тип диода:
PIN - 1 Pair Common Cathode
Максимальный ток:
100 mA
Тип корпуса (Package/Case):
SC-70, SOT-323
Рабочая температура:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
SC-70
Рассеиваемая мощность (Макс.):
240 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
100V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
0.35pF @ 20V, 1MHz
Сопротивление при токе и частоте (If, F):
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 30 шт.
0.28000 USD
от 1 шт.
BAP64-05W-TP
Карточка товара
↗
Производитель: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
TME
Доступно: 2,845 шт.
0.16 EUR
от 5 шт.
BAP64-06,215
Карточка товара
↗
Производитель: NXP USA Inc.
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
RF DIODE PIN 175V 250MW TO236AB
Характеристики
Тип диода:
PIN - 1 Pair Common Anode
Максимальный ток:
100 mA
Тип корпуса (Package/Case):
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Тип корпуса от поставщика:
SOT-23 (TO-236AB)
Рассеиваемая мощность (Макс.):
250 mW
Пиковое обратное напряжение (Макс.):
175V
Ёмкость при Vr, F (напряжение, частота):
0.35pF @ 20V, 1MHz
Сопротивление при токе и частоте (If, F):
1.35Ohm @ 100mA, 100MHz
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 2,141 шт.
0.27000 USD
от 1 шт.
TME
Доступно: 928 шт.
0.17 EUR
от 1 шт.
BAP64LX,315
Карточка товара
↗
Производитель: NXP Semiconductors
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 22,969 шт.
0.249 EUR
от 1 шт.
BAP65-03,115
Карточка товара
↗
Производитель: NXP
📁
Дискретные полупроводники
›
Диоды
›
РЧ-диоды (СВЧ)
(Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
RS HK
Доступно: 1,620 шт.
3.285 HKD
от 20 шт.
TME
Доступно: 5 шт.
0.242 EUR
от 1 шт.
Страница 1 из 20
1
…