1N3882

Производитель: GeneSiC Semiconductor

✓ Проверенная номенклатура

📁 Дискретные полупроводники › Диоды › РЧ-диоды (СВЧ)

Discrete Semiconductor Products › Diodes › RF Diodes

DIODE GEN PURP 300V 6A DO4

Технические характеристики

Скорость Fast Recovery = 200mA (Io)

Технология Standard

Тип монтажа Chassis, Stud Mount

Тип корпуса (Package/Case) DO-203AA, DO-4, Stud

Обратный ток утечки при Vr 15 µA @ 50 V

Тип корпуса от поставщика DO-4

Средний выпрямленный ток (Io) 6A

Рабочая температура - Кристалл (Tj) -65°C ~ 150°C

Время обратного восстановления (trr) 200 ns

Прямое падение напряжения (Vf) (Макс.) при If 1.4 V @ 6 A

Обратное напряжение постоянного тока (Vr) (Макс.) 300 V

Складские остатки и цены

Mouser 206 шт.