ELZON.RU
12.3 млн SKU онлайн
Логотип Загрузка BOM BETA

РАДАР ПОИСКА КОМПОНЕНТОВ

Каталог 12.3 млн электронных компонентов • Цены и остатки складов онлайн

Примеры:
📁
Каталог · Вы находитесь в категории
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
174DFN 8L ROHS
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET P-CH 30V 50MA 8DFN

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case):
8-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура:
-55°C ~ 135°C (TJ)
Максимальная мощность:
350 mW
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
Напряжение сток-исток (Vdss):
30 V
Тип корпуса от поставщика:
8-DFN (2x2)
Потребляемый ток (Id) - Макс.:
50 mA
Тип полевого транзистора (FET):
P-Channel
Напряжение отсечки (Vgs(off)) при Id:
5 V @ 10 nA
Сопротивление открытого канала RDS(on):
85 Ohms
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
30 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 6,078 шт.
7.45000 USD
от 1 шт.
175 DFN 8L ROHS
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET P-CH 30V 8DFN

Характеристики
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case):
8-VFDFN Exposed Pad
Рабочая температура:
-55°C ~ 135°C (TJ)
Максимальная мощность:
350 mW
Тип корпуса от поставщика:
8-DFN (2x2)
Тип полевого транзистора (FET):
P-Channel
Сопротивление открытого канала RDS(on):
125 Ohms
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
30 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 2,977 шт.
7.45000 USD
от 1 шт.
2N4117A TO-72 4L
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET N-CH 40V TO72-4

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Максимальная мощность:
300 mW
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0):
30 µA @ 10 V
Тип корпуса от поставщика:
TO-72-4
Тип полевого транзистора (FET):
N-Channel
Напряжение отсечки (Vgs(off)) при Id:
600 mV @ 1 nA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
3pF @ 10V
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
40 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 3,077 шт.
7.98000 USD
от 1 шт.
2N4118A TO-72 4L ROHS
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET N-CH 40V TO72-4

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Максимальная мощность:
300 mW
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0):
80 µA @ 10 V
Тип корпуса от поставщика:
TO-72-4
Тип полевого транзистора (FET):
N-Channel
Напряжение отсечки (Vgs(off)) при Id:
1 V @ 1 nA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
3pF @ 10V
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
40 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 716 шт.
7.84000 USD
от 1 шт.
2N4119A
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 72 шт.
26.07 EUR
от 1 шт.
2N4119A TO-72 4L
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET N-CH 40V TO72-4

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Максимальная мощность:
300 mW
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0):
200 µA @ 10 V
Тип корпуса от поставщика:
TO-72-4
Тип полевого транзистора (FET):
N-Channel
Напряжение отсечки (Vgs(off)) при Id:
2 V @ 1 nA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
3pF @ 10V
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
40 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 352 шт.
7.77000 USD
от 1 шт.
2N4391
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 211 шт.
17.65 EUR
от 1 шт.
2N4391 TO-18 3L ROHS
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET N-CH 40V TO18-3

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Рабочая температура:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Максимальная мощность:
1.8 W
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0):
50 mA @ 20 V
Тип корпуса от поставщика:
TO-18-3
Тип полевого транзистора (FET):
N-Channel
Напряжение отсечки (Vgs(off)) при Id:
4 V @ 1 nA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
14pF @ 20V
Сопротивление открытого канала RDS(on):
30 Ohms
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
40 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 753 шт.
6.88000 USD
от 1 шт.
2N4392
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 116 шт.
17.65 EUR
от 1 шт.
2N4393
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 204 шт.
17.65 EUR
от 1 шт.
2N4393 TO-18 3L ROHS
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET N-CH 40V TO18-3

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Рабочая температура:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Максимальная мощность:
1.8 W
Ток стока (Idss) при Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
Тип корпуса от поставщика:
TO-18-3
Тип полевого транзистора (FET):
N-Channel
Напряжение отсечки (Vgs(off)) при Id:
500 mV @ 1 nA
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
14pF @ 20V
Сопротивление открытого канала RDS(on):
100 Ohms
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
40 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 500 шт.
7.20000 USD
от 1 шт.
2N4416
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 130 шт.
29.37 EUR
от 1 шт.
2N4856
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 133 шт.
17.65 EUR
от 1 шт.
2N4856A
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 528 шт.
18.55 EUR
от 1 шт.
2N4857
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 24 шт.
17.65 EUR
от 1 шт.
2N4858
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 64 шт.
17.65 EUR
от 1 шт.
2N4858A
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 81 шт.
18.55 EUR
от 1 шт.
2N5114 TO-18 3L ROHS
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET P-CH 30V TO18-3

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
500 mW
Тип корпуса от поставщика:
TO-18-3
Тип полевого транзистора (FET):
P-Channel
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
25pF @ 15V
Сопротивление открытого канала RDS(on):
75 Ohms
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
30 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 22 шт.
8.60000 USD
от 1 шт.
2N5115 TO-18 3L
Производитель: Linear Integrated Systems, Inc.
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)

JFET P-CH 30V TO18-3

Характеристики
Тип монтажа:
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case):
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность:
500 mW
Тип корпуса от поставщика:
TO-18-3
Тип полевого транзистора (FET):
P-Channel
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds:
25pF @ 15V
Сопротивление открытого канала RDS(on):
100 Ohms
Напряжение пробоя затвор-исток (V(BR)GSS):
30 V
Склады и остатки
Digikey
Доступно: 442 шт.
8.53000 USD
от 1 шт.
2N5116
Производитель: InterFET
Карточка товара ↗
📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET)
Характеристики
Параметрика уточняется
Склады и остатки
Mouser
Доступно: 257 шт.
18.18 EUR
от 1 шт.
Страница 1 из 20 1 …