SI3457CDV-T1-GE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
6-TSOP
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
2W (Ta), 3W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
5.1A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
450 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
15 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
3V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
74mOhm @ 4.1A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
36,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.11571 USD |
| от 6000 шт. | 0.11423 USD |
| от 12000 шт. | 0.11225 USD |
| от 24000 шт. | 0.11027 USD |
| от 48000 шт. | 0.1083 USD |
Похожие компоненты в этой категории