Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SQJ872EP-T1_GE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Класс / Грейд Automotive
Тип корпуса (Package/Case) PowerPAK® SO-8
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 150 V
Тип корпуса от поставщика PowerPAK® SO-8
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 55W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 24.5A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 1045 pF @ 25 V
Квалификация / Стандарт качества AEC-Q101
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 22 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 7.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 3.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 35.5mOhm @ 10A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 113,336 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.84 EUR
от 10 шт. 0.894 EUR
от 100 шт. 0.796 EUR
от 500 шт. 0.631 EUR
от 1000 шт. 0.584 EUR
от 3000 шт. 0.519 EUR
RS HK 2,920 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 10 шт. 10.69 HKD
от 750 шт. 10.41 HKD
от 1500 шт. 10.26 HKD