SQJ850EP-T2_GE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Класс / Грейд
Automotive
Тип корпуса (Package/Case)
PowerPAK® SO-8
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
60 V
Тип корпуса от поставщика
PowerPAK® SO-8
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
45W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
24A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1225 pF @ 30 V
Квалификация / Стандарт качества
AEC-Q101
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
30 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
23mOhm @ 10.3A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
51,225 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.73 EUR |
| от 10 шт. | 1.11 EUR |
| от 100 шт. | 0.745 EUR |
| от 500 шт. | 0.592 EUR |
| от 1000 шт. | 0.56 EUR |
| от 3000 шт. | 0.56 EUR |
| от 9000 шт. | 0.52 EUR |
Похожие компоненты в этой категории