Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SQ2362ES-T1_BE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Класс / Грейд Automotive
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 3W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 4.3A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 550 pF @ 30 V
Квалификация / Стандарт качества AEC-Q101
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 12 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 68mOhm @ 2.4A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 342,600 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.08 EUR
от 10 шт. 0.771 EUR
от 100 шт. 0.48 EUR
от 500 шт. 0.331 EUR
от 1000 шт. 0.278 EUR
от 3000 шт. 0.236 EUR
от 6000 шт. 0.215 EUR
от 9000 шт. 0.198 EUR
от 24000 шт. 0.179 EUR