Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SQ2303ES-T1_BE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Класс / Грейд Automotive
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.9W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.5A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 210 pF @ 25 V
Квалификация / Стандарт качества AEC-Q101
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 6.8 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 170mOhm @ 1.7A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 69,105 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.146 EUR
от 10 шт. 0.145 EUR
от 3000 шт. 0.145 EUR