SIR668ADP-T1-RE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 100V 93.6A PPAK SO-8
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
PowerPAK® SO-8
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
100 V
Тип корпуса от поставщика
PowerPAK® SO-8
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
104W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
93.6A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
3750 pF @ 50 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
81 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
7.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
164,521 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.15 EUR |
| от 10 шт. | 1.59 EUR |
| от 100 шт. | 1.44 EUR |
| от 500 шт. | 1.17 EUR |
| от 1000 шт. | 1.16 EUR |
| от 3000 шт. | 1.08 EUR |
Похожие компоненты в этой категории