Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SI3483DDV-T1-BE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика 6-TSOP
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 2W (Ta), 3W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 6.4A (Ta), 8A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 580 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) +16V, -20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 14.5 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.2V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 31.2mOhm @ 5A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 41,187 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.817 EUR
от 10 шт. 0.373 EUR
от 100 шт. 0.329 EUR
от 500 шт. 0.253 EUR
от 3000 шт. 0.196 EUR
от 24000 шт. 0.176 EUR
Farnell 7,455 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.899 EUR
от 10 шт. 0.410 EUR
от 100 шт. 0.362 EUR
от 500 шт. 0.278 EUR
от 1000 шт. 0.247 EUR
от 5000 шт. 0.216 EUR