SI3473DDV-T1-GE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Тип корпуса от поставщика
6-TSOP
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
3.6W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
8A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1975 pF @ 6 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
57 nC @ 8 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Складские остатки и цены
Farnell
68,029 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 5 шт. | 0.664 EUR |
| от 10 шт. | 0.302 EUR |
| от 100 шт. | 0.267 EUR |
| от 500 шт. | 0.203 EUR |
| от 1000 шт. | 0.180 EUR |
| от 5000 шт. | 0.156 EUR |
Похожие компоненты в этой категории