Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SI3424CDV-T1-BE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика 6-TSOP
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 7.2A (Ta), 8A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 405 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 12.5 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 26mOhm @ 7.2A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 34,479 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.112 EUR
от 10 шт. 0.11 EUR
от 3000 шт. 0.11 EUR
Avnet 3,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.10296 USD
от 6000 шт. 0.10208 USD
от 12000 шт. 0.10063 USD
от 24000 шт. 0.09918 USD
от 48000 шт. 0.09772 USD