Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SI2338DS-T1-BE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 30 V
Тип корпуса от поставщика SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 5.5A (Ta), 6A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 424 pF @ 15 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 13 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 28mOhm @ 5.5A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 49,356 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 0.722 EUR
от 10 шт. 0.33 EUR
от 100 шт. 0.291 EUR
от 500 шт. 0.222 EUR
от 1000 шт. 0.22 EUR
от 3000 шт. 0.175 EUR
от 9000 шт. 0.154 EUR
Avnet 3,000 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 3000 шт. 0.15004 USD
от 6000 шт. 0.14927 USD
от 12000 шт. 0.14851 USD
от 24000 шт. 0.14774 USD
от 48000 шт. 0.14698 USD