SI2325DS-T1-BE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
150 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
750mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
530mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
510 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
12 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
6V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
1.2Ohm @ 500mA, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
51,828 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.37 EUR |
| от 10 шт. | 0.362 EUR |
| от 3000 шт. | 0.362 EUR |
Avnet
6,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.32248 USD |
Похожие компоненты в этой категории