SI2315BDS-T1-BE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
P-CHANNEL 1.8-V (G-S) MOSFET
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
12 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
750mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
3A (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
715 pF @ 6 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±8V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
15 nC @ 4.5 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
1.8V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
900mV @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
50mOhm @ 3.85A, 4.5V
Складские остатки и цены
Mouser
166,538 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.215 EUR |
| от 10 шт. | 0.212 EUR |
| от 3000 шт. | 0.212 EUR |
Avnet
6,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 0.14934 USD |
Похожие компоненты в этой категории