Запрос
Вернуться в каталог и поиск

IRFL014TRPBF-BE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) TO-261-4, TO-261AA
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Тип корпуса от поставщика SOT-223
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 2.7A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 300 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 11 nC @ 10 V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 200mOhm @ 1.6A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 38,643 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.19 EUR
от 10 шт. 0.736 EUR
от 100 шт. 0.545 EUR
от 2500 шт. 0.545 EUR
Avnet 2,500 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 2500 шт. 0.65 USD
от 5000 шт. 0.63961 USD
от 10000 шт. 0.62954 USD
от 20000 шт. 0.61905 USD
от 40000 шт. 0.61176 USD
Newark 2,229 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.390 USD
от 50 шт. 0.856 USD
от 100 шт. 0.810 USD
от 250 шт. 0.763 USD
от 500 шт. 0.717 USD
от 1000 шт. 0.671 USD
от 2500 шт. 0.797 USD
от 5000 шт. 0.578 USD