Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SQS411ENW-T1_GE3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Класс / Грейд Automotive
Тип корпуса (Package/Case) PowerPAK® 1212-8W
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 40 V
Тип корпуса от поставщика PowerPAK® 1212-8W
Тип полевого транзистора (FET) P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 39.5W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 16A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 3191 pF @ 25 V
Квалификация / Стандарт качества AEC-Q101
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 50 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 27.3mOhm @ 8A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 65,661 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 1.30 EUR
от 10 шт. 0.61 EUR
от 100 шт. 0.542 EUR
от 500 шт. 0.423 EUR
от 1000 шт. 0.406 EUR
от 3000 шт. 0.335 EUR