SQ4431EY-T1_BE3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Класс / Грейд
Automotive
Тип корпуса (Package/Case)
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
8-SOIC
Тип полевого транзистора (FET)
P-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
6W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
10.8A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1265 pF @ 15 V
Квалификация / Стандарт качества
AEC-Q101
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
25 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
4.5V, 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
2.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
30mOhm @ 6A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser
36,316 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.421 EUR |
| от 10 шт. | 0.419 EUR |
| от 2500 шт. | 0.419 EUR |
Похожие компоненты в этой категории