Запрос
Вернуться в каталог и поиск

SI7322DN-T1-E3

Производитель: Vishay Siliconix

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case) PowerPAK® 1212-8
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Тип корпуса от поставщика PowerPAK® 1212-8
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 750 pF @ 50 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 20 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 4.4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 58mOhm @ 5.5A, 10V
Складские остатки и цены
Mouser 73,588 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 2.07 EUR
от 10 шт. 1.33 EUR
от 100 шт. 0.946 EUR
от 500 шт. 0.765 EUR
от 1000 шт. 0.686 EUR
от 3000 шт. 0.611 EUR