SI6968BEDQ-T1-E3
Производитель: Vishay Siliconix
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Сборки полевых транзисторов
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › FET, MOSFET Arrays
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Конфигурация
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Производитель 2
Vishay Siliconix
Тип корпуса (Package/Case)
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Максимальная мощность
1W
Напряжение сток-исток (Vdss)
20V
Тип корпуса от поставщика
8-TSSOP
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
5.2A
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
18nC @ 4.5V
Особенности FET (полевого транзистора)
Logic Level Gate
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.6V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Складские остатки и цены
Mouser
36,836 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.61 EUR |
| от 10 шт. | 1.01 EUR |
| от 100 шт. | 0.671 EUR |
| от 500 шт. | 0.617 EUR |
| от 1000 шт. | 0.601 EUR |
| от 3000 шт. | 0.544 EUR |
| от 6000 шт. | 0.482 EUR |
| от 9000 шт. | 0.467 EUR |
| от 24000 шт. | 0.41 EUR |
Похожие компоненты в этой категории