XP231N0201TR-G
Производитель: Torex Semiconductor Ltd
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 30V 200MA
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
30 V
Тип корпуса от поставщика
SOT-23 (TO-236)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
400mW (Ta)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
200mA (Ta)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
6.5 pF @ 10 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
0.18 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
2.5V, 4.5V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
1.8V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
5Ohm @ 10mA, 4.5V
Складские остатки и цены
Mouser
38,973 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 0.301 EUR |
| от 10 шт. | 0.204 EUR |
| от 100 шт. | 0.129 EUR |
| от 500 шт. | 0.082 EUR |
| от 1000 шт. | 0.071 EUR |
| от 3000 шт. | 0.062 EUR |
| от 6000 шт. | 0.052 EUR |
| от 9000 шт. | 0.046 EUR |
| от 24000 шт. | 0.036 EUR |
Похожие компоненты в этой категории