Запрос
Вернуться в каталог и поиск

STW88N65M5

Производитель: STMicroelectronics

📁 Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs

MOSFET N-CH 650V 84A TO247-3

Технические характеристики
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа Through Hole
Тип корпуса (Package/Case) TO-247-3
Рабочая температура 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Тип корпуса от поставщика TO-247-3
Тип полевого транзистора (FET) N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.) 450W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C 84A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds 8825 pF @ 100 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.) ±25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs 204 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id 5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs 29mOhm @ 42A, 10V
Складские остатки и цены
Future Electronics 32,591 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 24.02 USD
от 5 шт. 23.71 USD
от 25 шт. 23.42 USD
от 75 шт. 23.21 USD
от 200 шт. 22.87 USD
Farnell 1,427 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 22.150 EUR
от 5 шт. 16.840 EUR
от 10 шт. 14.880 EUR
от 50 шт. 12.910 EUR
от 100 шт. 11.910 EUR
от 250 шт. 11.070 EUR
Avnet 1,135 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 600 шт. 8.68354 USD
от 1200 шт. 8.62893 USD
от 2400 шт. 8.46914 USD
от 4800 шт. 8.31515 USD
от 9600 шт. 8.232 USD
RS HK 18 шт.
Кол-во Цена за шт.
от 1 шт. 134.80 HKD