STP18NM60N
Производитель: STMicroelectronics
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Through Hole
Тип корпуса (Package/Case)
TO-220-3
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
600 V
Тип корпуса от поставщика
TO-220
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
110W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
13A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
1000 pF @ 50 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±25V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
35 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
93,767 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 1.0172 USD |
Farnell
595 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.150 EUR |
| от 10 шт. | 1.590 EUR |
| от 100 шт. | 1.360 EUR |
| от 500 шт. | 1.130 EUR |
| от 1000 шт. | 1.090 EUR |
RS HK
497 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 13 шт. | 27.70 HKD |
| от 25 шт. | 27.40 HKD |
TME
70 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.25 EUR |
| от 10 шт. | 1.69 EUR |
| от 50 шт. | 1.3 EUR |
| от 100 шт. | 1.26 EUR |
| от 500 шт. | 1.19 EUR |
Похожие компоненты в этой категории