STL135N8F7AG
Производитель: STMicroelectronics
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount, Wettable Flank
Тип корпуса (Package/Case)
8-PowerVDFN
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
80 V
Тип корпуса от поставщика
PowerFlat™ (5x6)
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
4.8W (Ta), 135W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
130A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
6800 pF @ 40 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±20V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
103 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
4.5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
3.6mOhm @ 13A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
66,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 3000 шт. | 1.18367 USD |
| от 6000 шт. | 1.17623 USD |
| от 12000 шт. | 1.15444 USD |
| от 24000 шт. | 1.13346 USD |
| от 48000 шт. | 1.12214 USD |
Farnell
208 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1 шт. | 3.400 EUR |
| от 10 шт. | 2.290 EUR |
| от 100 шт. | 1.730 EUR |
| от 500 шт. | 1.440 EUR |
| от 1000 шт. | 1.340 EUR |
Похожие компоненты в этой категории