STH3N150-2
Производитель: STMicroelectronics
✓ Проверенная номенклатура
📁
Дискретные полупроводники › Транзисторы › Полевые транзисторы (FET, MOSFET) › Одиночные полевые транзисторы
Discrete Semiconductor Products › Transistors › FETs, MOSFETs › Single FETs, MOSFETs
MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Технические характеристики
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажа
Surface Mount
Тип корпуса (Package/Case)
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Рабочая температура
150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss)
1500 V
Тип корпуса от поставщика
H²PAK
Тип полевого транзистора (FET)
N-Channel
Рассеиваемая мощность (Макс.)
140W (Tc)
Постоянный ток стока (Id) при 25°C
2.5A (Tc)
Входная ёмкость (Ciss) (Макс.) при Vds
939 pF @ 25 V
Напряжение затвор-исток Vgs (Макс.)
±30V
Полный заряд затвора (Qg) (Макс.) при Vgs
29.3 nC @ 10 V
Управляющее напряжение (Макс. Rds On, Мин. Rds On)
10V
Пороговое напряжение затвора Vgs(th) (Макс.) при Id
5V @ 250µA
Сопротивление открытого канала Rds(on) (Макс.) при Id, Vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
Складские остатки и цены
Avnet
64,000 шт.
| Кол-во | Цена за шт. |
|---|---|
| от 1000 шт. | 2.37633 USD |
| от 2000 шт. | 2.36138 USD |
| от 4000 шт. | 2.31765 USD |
| от 8000 шт. | 2.27552 USD |
| от 16000 шт. | 2.23488 USD |
Похожие компоненты в этой категории